Nd: YVO4 Crystal
Nd: YVO4 (Neodymium-doped Yttrium Vanadate) adalah salah satu bahan terbaik yang tersedia secara komersial untuk laser keadaan pepejal yang dipam diod, terutamanya untuk laser dengan ketumpatan daya rendah atau tengah. Contohnya, Nd: YVO4 adalah pilihan yang lebih baik daripada Nd: YAG untuk menghasilkan pancaran kuasa rendah pada penunjuk pegangan tangan atau laser kompak lain. Dalam aplikasi ini, Nd: YOV4 mempunyai beberapa kelebihan berbanding Nd: YAG, misalnya penyerapan tinggi penyinaran laser yang dipam dan keratan rentas pelepasan yang besar.
Nd: YVO4 adalah pilihan yang baik untuk output yang sangat terpolarisasi pada 1342 nm, kerana saluran pelepasan jauh lebih kuat daripada alternatifnya. Nd: YVO4 mampu bekerja dengan beberapa kristal nonlinier dengan pekali NLO tinggi (LBO, BBO, KTP) untuk menghasilkan lampu dari inframerah dekat hingga hijau, biru, atau bahkan UV.
Hubungi kami untuk mendapatkan penyelesaian terbaik untuk aplikasi Nd: YVO anda4 kristal.
Keupayaan WISOPTIK - Nd: YVO4
• Pelbagai pilihan Nd-doping ratio (0.1% ~ 3.0at%)
• Pelbagai saiz (diameter maksimum: 16 × 16 mm2; panjang maksimum: 20 mm)
• Pelbagai lapisan (AR, HR, HT)
• Ketepatan pemprosesan yang tinggi
• Harga yang sangat kompetitif, penghantaran cepat
Spesifikasi Standard WISOPTIC* - Nd: YVO4
| Nisbah Doping | Nd% = 0.2% ~ 3.0at% |
| Toleransi Orientasi | +/- 0.5 ° |
| Bukaan | 1 × 1 mm2~ 16 × 16 mm2 |
| Panjang | 0.02 mm ~ 20 mm |
| Toleransi Dimensi | (W ± 0.1mm) × (H ± 0.1mm) × (L + 0.5 / -0.1mm) (L≥2.5mm) (W ± 0.1mm) × (H ± 0.1mm) × (L + 0.2 / -0.1mm) (L <2.5mm) |
| Perataan | <λ / 8 @ 632.8 nm (L≥2.5mm) <λ / 4 @ 632.8 nm (L <2.5mm) |
| Kualiti Permukaan | <20/10 [S / D] |
| Paralelisme | <20 " |
| Keagungan | ≤ 5 ' |
| Chamfer | ≤ 0.2 mm @ 45 ° |
| Penyelewengan Hadapan Gelombang | <λ / 4 @ 632.8 nm |
| Aperture yang jelas | > 90% kawasan tengah |
| Salutan | AR @ 1064nm, R <0.1% & HT @ 808nm, T> 95%; HR @ 1064nm, R> 99.8% & HT @ 808nm, T> 95%; HR @ 1064nm, R> 99.8%, HR @ 532 nm, R> 99% & HT @ 808 nm, T> 95% |
| Ambang Kerosakan Laser | > 700 MW / cm2 untuk 1064nm, 10ns, 10Hz (bersalut AR) |
| * Produk dengan keperluan khas atas permintaan. | |
Kelebihan Nd: YVO4 (berbanding dengan Nd: YAG)
• Lebar jalur pam lebih luas sekitar 808 nm (5 kali ganda daripada Nd: YAG)
• Keratan rentas pelepasan yang dirangsang lebih besar pada 1064nm (3 kali ganda daripada Nd: YAG)
• Ambang kerosakan laser yang lebih rendah dan kecekapan cerun yang lebih tinggi
• Berbeza dengan Nd: YAG, Nd: YVO4 adalah kristal uniaxial yang memberikan pelepasan polarisasi linier, mengelakkan kelebihan birefringence yang disebabkan oleh termal.
Sifat Laser Nd: YVO4 vs Nd: YAG
|
Kristal |
Doping （atm%） |
σ |
α (cm-1) |
τ (μs) |
Lα (mm) |
Pika (mW) |
ηs (%) |
|
Nd: YVO4 |
1.0 |
25 |
31.2 |
90 |
0.32 |
30 |
52 |
|
2.0 |
25 |
72.4 |
50 |
0.14 |
78 |
48.6 |
|
|
Nd: YVO4 |
1.1 |
7 |
9.2 |
90 |
- |
231 |
45.5 |
|
Nd: YAG |
0.85 |
6 |
7.1 |
230 |
1.41 |
115 |
38.6 |
| σ - keratan rentas pelepasan terangsang, α - pekali penyerapan, τ - jangka hayat pendarfluor Lα - panjang penyerapan, Pika - daya ambang, ηs - kecekapan kuantum pam |
|||||||
Sifat Fizikal - Nd: YVO4
| Ketumpatan atom | 1.26x1020 atom / cm2 (Nd% = 1.0%) |
| Struktur kristal | Zirkon tetragonal, kumpulan ruang D4jam-I4 / amd a = b = 7.1193 Å, c = 6.2892 Å |
| Ketumpatan | 4.22 g / cm2 |
| Mohs kekerasan | 4.6 ~ 5 (seperti kaca) |
| Pekali pengembangan haba (300K) | αa= 4.43x10-6/ K, αc= 11.37x10-6/ K |
| Pekali kekonduksian terma (300K) | || c: 5.23 W / (m · K); :C: 5.10 W / (m · K) |
| Takat lebur | 1820 ℃ |
Sifat Optik - Nd: YVO4
| Panjang gelombang lasing | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Indeks biasan | uniaxial positif, no= na= nb ne= nc no= 1.9573, ne= 2.1652 @ 1064 nm no= 1.9721, ne= 2.1858 @ 808 nm no= 2.0210, ne= 2.2560 @ 532 nm |
| Pekali optik termal (300K) | dno/dT=8.5x10-6/ K, dne/dT=3.0x10-6/ K |
| Keratan rentas pelepasan terangsang | 25.0x10-19 cm2 @ 1064 nm |
| Jangka hayat pendarfluor | 90 μs (1.0at% Nd doped) @ 808 nm |
| Pekali penyerapan | 31.4 sm-1 @ 808 nm |
| Panjang penyerapan | 0.32 mm @ 808 nm |
| Kerugian intrinsik | 0.02 sm-1 @ 1064 nm |
| Dapatkan lebar jalur | 0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| Pelepasan laser terpolarisasi | selari dengan paksi optik (paksi-c) |
| Diod dipam kecekapan optik hingga optik | > 60% |
|
Pelepasan terpolarisasi |
Terpolarisasi |
